​氮矽科技技术总监罗鹏博士受邀在“智“动化与工业4.0论坛进行演讲
[ 来源:  时间:2019-09-03  阅读:1063次 ]

8月15日,由Aspencore 公司主办、成都市电子信息行业协会与成都矽能科技有限公司协办的“智”动化与工业4.0论坛在成都东大明宇豪雅酒店举行,矽能科技孵化器的受孵企业---成都氮矽科技的技术总监罗鹏博士到论坛作了主题为《第三代半导体氮化镓技术发展趋势及应用市场》的演讲。

Aspencore是全球电子技术领域的最大媒体集团,其组织的这次 “智”动化与工业4.0论坛,旨在让相关企业、机构和及个人分享更多智慧工厂和工业4.0的热议技术话题。本次论坛有深圳、苏州、成都三个分会场。

蓝牙技术联盟亚太区高级开发者关系经理任凯、HIROSE 技术部经理李玉兰、Winbond 闪存产品企划经理黄信伟、Silicon Labs中国销售经理刘培智、BISTel China销售副总裁Stanley Shi、ST功率分离器件市场部区域经理李洪华、Sigfox全球生态链合作总监严更真、Semtech 西南区客户经理吴晓健、卫士通研究院副院长任飞、Oracle 资深解决方案架构师Vicky Qiu及氮矽科技技术总监罗鹏围绕主题从不同角度不同维度就人工智能和工业4.0相关知识进行了演讲。


成都氮矽科技公司设立于矽能科技孵化器,是一家专注于氮化镓(GaN)功率半导体器件技术及应用解决方案的高科技公司,是矽能科技实现功率器件开发目标、开展新型材料功率半导体研究开发的主体单位。氮矽科技依托完全由海归高层次人才组成的研发团队、矽能孵化器完善而优质的服务支持资源及电子科技大学功率集成技术实验室的支持和协同,树立了研发国内首款独立GaN Power IC的短期目标和成为中国最具影响力的新型材料功率器件研发企业的远期目标。根据公司现有资源和市场实际,氮矽科技确立了公司发展初期重点关注基于氮化镓技术的手机快充、车载充电(OBC)和5G射频及应用解决方案的三大领域的经营策略。


罗鹏,德国勃兰登堡州科技大学电子工程学硕士,德国柏林费迪南德布朗-莱布尼茨研究所射频微电子学博士及博士后研究员。主要负责测试平台搭建,氮化镓晶体管建模以及毫米波超高稳健性低噪声功率放大器的设计。有超过5年第三代半导体氮化镓器件的研发工作经验,曾任IEEE微波理论与技术汇刊审稿人,参与多个德国研究基金会研发项目的管理,现为成都氮矽科技有限公司创始人及技术总监。

罗鹏博士在演讲中指出,第三代半导体又名宽禁带半导体,主要是指氮化镓GaN和碳化硅SiC),其特点是相比第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓GaAs,拥有高饱和电子速度、高频特性(毫米波)及高功率密度。氮化镓功率器件有P型栅、共源共栅连接、绝缘栅三种结构,P型栅结构虽然工艺难度较大,但由于性能优良仍然被FBH、英诺赛科、三安集成、EPC等许多研究机构和公司采纳。共源共栅连接结构由Transphorm公司开发,其特点是串联30V Si MOS,稳定阈值电压在2V,兼容Si器件驱动。绝缘栅结构又名凹槽栅结构,其特点是通过凹槽截断栅极下方的2DEG,在零压下保持关断。

 罗鹏博士还简述了GaN功率器件的发展历程,罗鹏博士说,2010年是GaN功率器件的突破之年,这一年EPC发布了20-200V eGaN ,MicroGaN 发布了600V eGaN,这是GaN功率器件首次投入市场,紧接着2011年,GaN System发布1200V GaN-on-SiC,,2012年,6英寸GaN-on-SiC芯片投入使用,值得注意的是,目前6英寸的GaN-on-SiC 仍然是GaN功率器件的主流。2014年,GaN器件成功生长在8英寸SiC上,这虽然是GaN器件的一个大的突破,但由于SiC硬度高,导致8英寸产品良品率低,这样的状况一直持续了两年,2016年,8英寸GaN器件(GaN-on-Si)成功实现了量产,国内紧跟国际步伐,2018年,国内8英寸GaN器件技术也实现了突破,开始量产8英寸GaN-on-Si。

罗鹏博士指出,GaN半导体以其优越的性能,广泛应用于光电、微波射频、电力电子等领域。在电力电子领域,氮化钾产品具有损耗小、发热小,开关频率高,体积小,功率密度大的突出优点,这些优势使它在快充头、车载充电器等产品中得到了大规模应用,以目前的趋势,权威机构预测,第三代半导体功率器件市场在2027年将突破100亿美元。在微波射频领域,氮化钾功率器件具有频率高、带宽宽、输出功率密度高的突出优势,在该领域,氮化镓器件的典型应用就是 RF PA 、LNA及电信基站中的射频前端器件,据权威机构预测,到2023年,氮化镓的市场规模将达到13亿美金。在氮化镓产业链上,进行补底开发的机构和企业国际主要有日本住友、日本三菱、日本古河电气及美国Cree,国内主要有苏州纳维科技、东莞中镓半导体、厦门三安光电。在生产制造环节,国际主要有美国环宇、日本富士通、台湾稳懋 、嘉晶电子及台积电,国内主要有厦门三安集成。在设计环节,国际主要有美国EPC,MACOM,TI,Dialog,NAVITAS等,国内主要有安谱隆(Ampleon)和氮矽科技。IDM企业主要有日本住友、法国Exagan、意法半导体、荷兰NXP、德国Infineon、日本三菱、美国QORVO及CREE,中国主要有苏州能讯(RF),中电科13、55所,珠海英诺赛科。

成都盛芯微科技、英创信息技术有限公司、西门子中国有限公司成都分公司、四川龙鸟智能交通科技有限公司等二十多家企业参加论坛。

本次活动得到了成都市科学技术局的支持。


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