涞顿科技户外移动电源产品

作为一家专注于氮化镓功率器件及驱动芯片研发与销售的公司，氮矽科技凭借其国内独有的核心氮化镓驱动技术实力和丰富的经验，成为了涞顿科技和安科讯的合作伙伴。三方将各自发挥其优势，共同研发创新产品。通过充分利用氮化镓开关的高频与高效上的优势，解决传统逆变器存在的“体积大、效率低”等问题，进一步满足消费者对微型逆变器“体积小、效率高”的需求，并推动电力电子应用领域的发展。

氮矽DXC3065S2TB集成驱动器件助力新款氮化镓微型逆变器

DXC3065S2TB作为氮矽科技PIIP™ GaN系列产品的最新力作，将在此次合作中作为新款氮化镓微型逆变器的核心功率器件。DXC3065S2TB采用TO247—4封装，内置 650V 耐压，80m Ω 导阻，最大漏源极电流30A的增强型氮化镓晶体管，集成驱动器的开关速度超10MHz，具有零反向恢复损耗。

DXC3065S2TB规格书图

区别于PIIP™ GaN系列的其他产品，氮矽DXC3065S2TB首次在TO系列封装工艺上采用了埋阻封装，通过将上拉电阻集成到TO247封装内，在节省了PCB占板面积的同时保证了开关波形的稳定，此外由于埋阻工艺可以有效减小寄生电感和寄生电阻，具有高可靠性和高效率的特点。

DXC3065S2TB内部电路框图

支持0~18V的宽电压输入范围

DXC3065S2TB的PWM输入（IN）电压范围为0~18V，几乎兼容市面所有的PWM控制器的输出，为电源设计人员提供了极大的便利。

支持UVLO欠压锁定功能

DXC3065S2TB的UVLO 阈值为 3.8V，当供电电压VDD低于UVLO时，内部电路处于待机状态，直到VDD达到启动电压，该功能有效避免了由于电源电压的波动导致器件误开启失效的问题，这也是PIIP™ GaN具备高可靠性的主要原因之一。

更高效的能源转化

DXC3065S2TB可以充分发挥氮化镓器件高频和零反向恢复的优势，最大程度地提高能源的转换效率，减少能源损耗。

随着光伏技术的普及和推广应用，微型逆变器的应用场景变得更加多样化，预计到2025年将达到50亿美元以上。其中，家庭应用是微型逆变器市场的主要领域，占据了市场份额的60%以上。然而，随着市场需求的不断增长，传统的Si MOSFET已经无法满足功率提升和小型化轻量化方面的需求。为了解决这些应用挑战，采用DXC3065S2TB是一个有效的解决方案。此外，DXC3065S2TB还在数据中心、通信基站和电动汽车充电桩等工业领域提供高可靠性的解决方案。

数据来源：关研报告网

DXC3065S2TB的推出不仅标志着氮矽科技在工业领域布局的进一步深化，而且也代表着氮矽科技在推动电力电子技术创新方面的重要一步；而通过与涞顿科技和安科讯的战略合作，氮矽科技将继续引领氮化镓革命性突破，为用户提供更加高效、可靠的产品和解决方案，共创绿色未来。