2023年3月30日-31日，氮矽科技亮相半导体在线在江苏苏州举办的第二届三代半导体材料技术与市场研讨会，吸引诸多关注。此次研讨会由半导体在线组织召开，旨在提供协同创新的高质量交流平台，推动国内第三代半导体材料的学术研究、技术进步和产业发展。
氮矽科技有限公司资深GaN HEMT器件设计总监刘勇在此次研讨会上发表了关于“GaN功率电子器件结构设计研究进展”的演讲。介绍了常闭型GaN功率器件结构、场板及其他端子结构、垂直GaN功率器件的结构、 Cascode 及合封GaN功率产品结构，其中合封GaN产品是指GaN&驱动的合封。并指出在未来Si MOSFET将会被GaN和SiC器件取代、而GaN与驱动的合封将会是未来的主流趋势。
目前氮矽科技已推出多款合封氮化镓产品即PIIPTM GaN。Multi-die封装集成具有高可靠性、低寄生参数、占板面积小、布局灵活等特点，并且提供多种封装，供客户选择；
氮矽科技2019年4月由海归团队发起，并集合数位电子科技大学顶尖教授和产业内精英在成都联合创办的高新技术企业。公司瞄准新能源与国家先进基础产业方向，打造国内唯一聚焦第三代半导体氮化镓器件及其驱动器的独角兽企业, 引领氮化镓的革命性突破, 共创绿色未来。
未来公司将加大研发投入、不断发展创新、不断提升产品竞争力、不断完善服务体系，为客户提供优质的产品及服务体验。