5月16-18日，第五届深圳国际半导体技术暨应用展（SEMI-e）在深圳会展中心（宝安新馆）落下帷幕。来自全国各地的半导体专业采购商齐聚鹏城，行业学者大咖会师深圳，凝聚成半导体产业背后的坚实力量，与现场600+精选展商共同开启一次“芯”旅程！

此次展会，氮矽科技朱仁强博士受邀参加同期召开的第四届第三代半导体产业发展高峰论坛，发表了《功率氮化镓应用现状与前景》主题分享，介绍了氮化镓作为重要的第三代半导体材料之一，具有禁带宽度大，击穿电压高，损耗低，高频特性优等特点，在功率器件领域已占据重要地位。

着重阐述了D-mode HEMT 和 E-mode HEMT两大流派的区别，以及功率氮化镓在快充领域、家电、电源适配器、数据中心、新能源汽车、锂电池等领域拥有巨大的潜在应用市场。

在展会上，氮矽科技展示了针对以上应用领域，已推出的多款产品，包含650V （80mΩ ~ 400mΩ）氮化镓晶体管，多款氮化镓专用单/双通道驱动，及多款氮化镓集成驱动产品。同时展出了，氮矽科技已在快充、电源适配器、TV电源等领域推出的多款应用解决方案。

本次展会是半导体产业的一次盛会，通过本次展会，氮矽科技也与行业内外的合作伙伴及意向客户建立了良好沟通，加强了与产业之间的链接。我们将不断地进取创新，努力深耕氮化镓，为国家第三代半导体产业腾飞做出贡献。愿我们携手共进，合作共赢，我们下一次展会不见不散！